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處理連續拍攝圖像數據的裝置和方法.pdf

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處理 連續 拍攝 圖像 數據 裝置 方法
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摘要
申請專利號:

CN201310421872.0

申請日:

2013.09.16

公開號:

CN103677666A

公開日:

2014.03.26

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G06F 3/06申請日:20130916|||公開
IPC分類號: G06F3/06; G06F12/02; H04N5/232 主分類號: G06F3/06
申請人: 三星電子株式會社
發明人: 尹松虎; 康貞旭; 鄭云在
地址: 韓國京畿道
優先權: 2012.09.14 KR 10-2012-0102471
專利代理機構: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 代理人: 陳源;張帆
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201310421872.0

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2017.12.05|||2015.10.14|||2014.03.26

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種圖像處理系統,該圖像處理系統包括生成連續拍攝圖像數據的主機和具有存儲單元陣列的閃存裝置,其中存儲單元陣列包括第一存儲區域和第二存儲區域。所述第一存儲區域的一部分是僅用于臨時存儲連續拍攝圖像數據的專用連續拍攝圖像數據緩沖區域。所述第二存儲區域在正常編程操作過程中存儲通過主機提供至所述閃存裝置的正常數據。所述第一存儲區域構造成支持以第一速度進行的包括所述正常編程操作在內的數據存取操作,所述第二存儲區域構造成支持以低于所述第一速度的第二速度進行的數據存取操作。

權利要求書

權利要求書
1.  一種石英坩堝熱涂氧化鋯的生產工藝,其特征在于:工藝步驟包括:梯度布料:先在旋轉的石墨模具中加入所需重量分數為80-120的高純石英砂用成型棒把料刮均勻,然后將配好氧化鋯粉均勻的散布在高純石英砂上,將模具導入熔制爐內;熔制階段:先抽真空,然后通過3根石墨電極起電弧,熔制階段溫度約2700度,抽真空帶出部分石英砂粉塵,需收集處理;成品出爐:經過20--30分鐘的熔制階段后,將電弧關閉,模具退出熔制爐,冷卻5分鐘左右把坩堝取出;尺寸檢驗:使用卡鉗檢驗尺寸大小,合格產品進入下一步工序;噴砂:用噴槍將石英砂噴在石英坩堝的外表面,用來除去外表面的附砂,噴出的砂由除塵器收集后重復使用;切割:將初檢合格的石英坩堝用坩堝切割倒棱機按圖紙的要求把坩堝上口多余的部分切掉,再進行倒棱,外棱斜度為30°,里棱斜度為45°;檢驗:用測厚儀測量坩堝的厚度,用游尺測量坩堝的外徑尺寸,達到固定的要求;清洗:先酸洗,將坩堝沒入(6--8%)HF酸洗槽內洗,然后進行高壓清洗及超聲波清洗,祛除表面的殘留離子,(高純水的純度須大于15MΩ);烘干:將清洗完的坩堝裝到烘箱內把坩堝表面的水分烘干;內包裝:將烘干完的坩堝通過傳遞窗放到潔凈室內冷卻,冷卻后進行內包裝;包裝入庫:使用泡沫和紙箱進行外包裝,打包裝托盤入庫。

說明書

說明書一種石英坩堝熱涂氧化鋯的生產工藝
技術領域
本發明涉及一種石英坩堝熱涂氧化鋯的生產工藝,屬于光伏領域。 
背景技術
隨著光伏市場的變化,太陽能電池及光伏系統的成本持續下降并逼近常規發電成本,仍將是光伏產業發展的主題,從硅料到組件以及配套部件等均將面臨快速降價的市場壓力,太陽能電池將不斷向高效率、低成本方向發展,我們研發的新型石英坩堝可以讓我們的上游客戶(單晶硅棒生產廠家)生產成本降低,單晶棒的品質得到提高。 
一般的高純坩堝使用方法;先把高純度的多晶硅原料放入石英坩堝內,通過石墨加熱器產生的高溫將其熔化;然后,對熔化的硅液稍做降溫,使之產生一定的過冷度,再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體(稱作籽晶)插入熔體表面,待籽晶與熔體熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶體便會在籽晶下端生長;接著,控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3~5mm的細頸,用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產生的原子排列的位錯,這個過程就是引晶;隨后,放大晶體直徑到工藝要求的大小,一般為75~300mm,這個過程稱為放肩;接著,突然提高拉速進行轉肩操作,使肩部近似直角;然后,進入等徑工藝,通過控制熱場溫度和晶體提升速度,生長出一定直徑規格大小的單晶柱體;最后,待大部分硅溶液都已經完成結晶時,再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體,稱為收尾工藝;這樣一個單晶拉制過程就基本完成,進行一定的保溫冷卻后就可以取出,如果按使用22寸的坩堝推算的話,裝料130KG,坩堝在高溫情況下需要承受80個小時,這也達到一般高純坩堝的極限,所以一般坩堝只能使用一次。 
隨著拉單晶的技術提高,近年來不少大廠家自己研發了單晶2次投料的技術(在不停爐的情況下連續生產多根單晶棒),要實施2次投料技術必須有耐高溫性較高,壽命長的石英坩堝。 
發明內容
為了延長石英坩堝的使用壽命和重復使用,提高成品率,現有的技術中有采用在石英坩堝表面均勻制備出一層氫氧化鋇涂層,大家都知道氫氧化鋇在空氣中反應性很高,易于與空氣中的二氧化碳反應生成碳酸鋇,因而妨礙了對此物質的精確稱重。此外,氫氧化鋇在坩堝表面的均勻分布以及晶體生長事實上是不可控的。石英坩堝的轉移或裝卸可能會磨損氫氧化鋇涂層。結晶是否按希望的方式發生通常是不可預知的,只有使用石英坩堝時才能得知。此外鋇在石英坩堝中遷移率很小,造成在已知的石英坩堝中結晶的表面層厚度很薄,通常為50μm左右。這樣的薄層在使用時很容易剝。 
氧化鋯(ZrO2)幾乎不溶于水。相對密度5.85。熔點2680℃。沸點4300℃。性能具有熔點和沸點高、硬度大、常溫下為絕緣體、氧化鋯熔點2700℃,化學穩定性好,2000℃以下對多種熔融金屬、硅酸鹽、玻璃等不起作用,極高的耐磨性及耐化學腐蝕性等等優良的物化性能,氧化鋯已經在陶瓷、機械、電子、光學、光纖通信、鐘表飾品、航空航天、生物、化學等等各種領域獲得廣泛的應用。 
鑒于目前存在的問題,本發明要解決的問題是用于單晶多次投料所能配套的內層為氧化鋯的石英坩堝不僅可將一般坩堝的污染減少至1%以下,剩余的鍋底料不必經過特殊處理和清洗,直接可100%回收使用,坩堝可以循環使用多次,大大提高生產效率,節約能耗,降低生產成本。 
鑒于此,本發明提供一種石英坩堝熱涂氧化鋯的生產工藝。 
工藝參數如下: 
起弧電壓和電流 
電極間電壓的大小決定了弧長或電極間距,這種間距有一個最佳值。 
弧太長時,由于SIO2蒸氣等氣體阻隔,將易斷弧,此時電極響聲大,震動大,易掉渣; 
弧太短時,電極燒失嚴重,產生黑煙,溫度也低。 
因此,起弧電壓很重要,線電壓要大于180V才易氣弧,起弧后相電壓應維持在140-150V之間。 
優質電極所允許的最大電流密度一般按0.8-0.9A/mm2,以此可以計算出所需電弧電流。目前電極棒直徑的確定是根據生產實踐經驗得出,亦可根據確定了的電流,按公式D=1.08I-2來確定電極直徑 
離心成型的轉速。 
轉速低時,粉料不能靠離心力附于石墨模成型;轉速太高時,則坩堝底部在離心力下甩向周邊,造成底部偏薄。比較實用的計算公式:R=A/Di-2 
R-轉速;A-常數;Di-粉料成型內徑。 
附圖說明
附圖是本發明的工藝流程圖。 
具體實施方式
參照附圖,對本發明進行詳盡的敘述:一種石英坩堝熱涂氧化鋯的生產工藝,它的工藝流程為: 
梯度布料:先在旋轉的石墨模具中加入所需重量分數為80-120的高純石英砂用成型棒把料刮均勻,然后將配好氧化鋯粉均勻的散布在高純石英砂上, 將模具導入熔制爐內。 
熔制階段:先抽真空,然后通過3根石墨電極起電弧,熔制階段溫度約2700度,抽真空帶出部分石英砂粉塵,需收集處理。 
成品出爐:經過20--30分鐘的熔制階段后,將電弧關閉,模具退出熔制爐,冷卻5分鐘左右把坩堝取出。 
尺寸檢驗:使用卡鉗檢驗尺寸大小,合格產品進入下一步工序。 
噴砂:用噴槍將石英砂噴在石英坩堝的外表面,用來除去外表面的附砂,噴出的砂由除塵器收集后重復使用。 
切割:將初檢合格的石英坩堝用坩堝切割倒棱機按圖紙的要求把坩堝上口多余的部分切掉,再進行倒棱,外棱斜度為30°,里棱斜度為45°即可。 
檢驗:用測厚儀測量坩堝的厚度,用游尺測量坩堝的外徑尺寸,達到客戶要求即可。 
清洗:先酸洗,將坩堝沒入(6--8%)HF酸洗槽內洗,然后進行高壓清洗及超聲波清洗,祛除表面的殘留離子,(高純水的純度須大于15MΩ)。 
烘干:將清洗完的坩堝裝到烘箱內把坩堝表面的水分烘干。 
內包裝:將烘干完的坩堝通過傳遞窗放到潔凈室內冷卻,冷卻后進行內包裝。 
包裝入庫:使用泡沫和紙箱進行外包裝,打包裝托盤入庫。 

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