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一種檢測裝置、陣列基板檢測系統及其方法.pdf

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一種 檢測 裝置 陣列 系統 及其 方法
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摘要
申請專利號:

CN201310630165.2

申請日:

2013.11.29

公開號:

CN103676234A

公開日:

2014.03.26

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G02F 1/13申請日:20131129|||公開
IPC分類號: G02F1/13 主分類號: G02F1/13
申請人: 合肥京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團股份有限公司
發明人: 盧彥春
地址: 230012 安徽省合肥市新站區銅陵北路2177號
優先權:
專利代理機構: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 代理人: 申健
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201310630165.2

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2016.06.01|||2014.04.23|||2014.03.26

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明實施例提供一種檢測裝置、陣列基板檢測系統及其方法,涉及基板測試技術領域。能夠同時對陣列基板上反射率差異較大的各個膜層進行不良檢測。該陣列基板檢測系統包括檢測裝置,該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個膜層表面的灰階圖片,再利用處理器根據上述灰階圖片,得出待測基板的缺陷坐標圖。

權利要求書

權利要求書
1.  一種檢測裝置,包括用于承載待測基板的承載臺,所述承載臺一側設置有光源,所述光源發出的光線通過分束器照射到所述待測基板的表面,經過反射后進入所述分束器并輸出,其特征在于,所述檢測裝置還包括:
第一半反半透鏡,與所述分束器輸出的光線之間具有預設夾角,用于將所述分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束;
采集裝置,用于采集所述第一光束和所述第二光束,根據所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片;其中,所述第一膜層具有第一反射率;所述第二膜層具有第二反射率,所述第二反射率與所述第一反射率不同;
處理器,用于將所述采集裝置生成的灰階圖片進行對比得出所述待測基板的缺陷坐標圖。

2.  根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,所述采集裝置包括:
第一子采集裝置,用于采集所述第一光束;
第二子采集裝置,用于采集所述第二光束。

3.  根據權利要求2所述的檢測裝置,其特征在于,
所述第一子采集裝置和所述第二子采集裝置均包括電荷耦合相機;
所述第二子采集裝置與所述第一半透半反鏡之間還包括光學膜片層,所述光學膜片層用于改變入射到所述第二子采集裝置的第二光束的亮度。

4.  根據權利要求3所述的檢測裝置,其特征在于,所述處理器還包括數據整合單元,所述數據整合單元用于:
刪除所述缺陷坐標圖中的重復坐標刪除;和/或,
刪除灰階值大于預設定閾值的所述灰度圖片。

5.  根據權利要求1所述的檢測裝置,其特征在于,所述分束器包括:
第二半反半透鏡,與所述光源發出的光線之間具有所述預設夾角;以及,
透鏡裝置,位于所述第二半反半透鏡與所述承載臺之間,用于匯聚透過所述第二半反半透鏡的光線。

6.  根據權利要求1或5所述的檢測裝置,其特征在于,所述預設 夾角為45°。

7.  一種陣列基板檢測系統,其特征在于,包括如權利要求1-6任一項所述的檢測裝置。

8.  根據權要求7所述的陣列基板檢測系統,其特征在于,還包括:
參數加載單元,用于在對待檢測基板檢測前,向所述陣列基板檢測系統載入檢測參數;以及,
卸載單元,用于在對所述待檢測基板檢測后,清除所述檢測參數。

9.  根據權要求8所述的陣列基板檢測系統,其特征在于,還包括:
拍照單元,用于根據所述檢測裝置的檢測結果,對所述待測基板上的缺陷進行拍照,以確認所述缺陷。

10.  根據權要求7所述的陣列基板檢測系統,其特征在于,還包括:
對位單元,用于將放入載物臺上的所述待測基板的位置通過機械或光學的方式進行對位。

11.  一種陣列基板檢測系統的檢測方法,包括參數處理的步驟、待測基板檢測的步驟以及缺陷確認的步驟,其特征在于,所述待測基板檢測的步驟包括:
光源發出的光線通過分束器照射到待測基板的表面,經過反射后進入所述分束器并輸出;
第一半反半透鏡將分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束;
采集裝置采集所述第一光束和所述第二光束,根據所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片;其中,所述第一膜層具有第一反射率;所述第二膜層具有第二反射率,所述第二反射率與所述第一反射率不同;
處理器將所述采集裝置生成的灰階圖片進行對比得出所述待測基板的缺陷坐標圖。

12.  根據權利要求11所述的陣列基板檢測系統的檢測方法,其特征在于,在所述處理器得出所述待測基板的缺陷坐標圖的步驟之后,該方法還包括:
數據整合單元刪除所述缺陷坐標圖中的重復坐標;和/或,
刪除灰階值大于預設定閾值的所述灰度圖片。

13.  根據權利要求11所述的陣列基板檢測系統的檢測方法,其特征在于,在所述待測基板檢測的步驟之前,所述方法還包括:
參數加載單元向所述陣列基板檢測系統載入檢測參數。

14.  根據權利要求13所述的陣列基板檢測系統的檢測方法,其特征在于,在所述待測基板檢測的步驟之后,所述方法還包括:
拍照單元根據所述檢測裝置的檢測結果,對所述待測基板上的缺陷進行拍照,以確認所述缺陷。

15.  根據權利要求13所述的陣列基板檢測系統的檢測方法,其特征在于,在所述待測基板檢測的步驟之后,所述方法還包括:
卸載單元清除用于檢測所述待測基板的所述檢測參數,結束測試。

16.  根據權利要求11所述的陣列基板檢測系統的檢測方法,其特征在于,在所述待測基板檢測的步驟之前,所述方法還包括:
對位單元將放入載物臺的待測基板的位置通過機械或光學的方式進行對位。

說明書

說明書一種檢測裝置、陣列基板檢測系統及其方法
技術領域
本發明涉及基板測試技術領域,尤其涉及一種檢測裝置、陣列基板檢測系統及其方法。
背景技術
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置,因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點,而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。現有TFT-LCD的制造工藝主要包括四個階段,分別為彩色濾光片制備、Array(陣列基板制造)工藝、Cell(液晶盒制備)工藝以及Module(模塊組裝)工藝。作為TFT-LCD生產的一個重要環節,Array工藝通常是在一張玻璃基板上形成獨立的TFT陣列電路,每個陣列電路分別對應一個像素單元,陣列電路的質量將直接影響產品的顯示質量。
為了及時發現陣列基板制作存在的各種不良,確保陣列基板的質量,在Array工藝過程中或在Array工藝之后,需要對TFT陣列基板進行檢測,以確定其中是否存在短路、斷路等不良現象。
目前可以采用光學檢測設備對TFT陣列基板進行檢測。具體的,該光學檢測設備如圖1所示,光源系統10傳出光源,該光源通過半反半透鏡11進行透射后,再通過透鏡裝置12匯聚傳輸到陣列基板13的表面;該光線在陣列基板13的表面反射后經過透鏡裝置12傳輸到半反半透鏡11的反射面,然后傳輸至全反射鏡14,最后被CCD感光元件15(Charge Coupled Device,電荷耦合器件)接收。這樣一來,通過CCD接收照射在陣列基板上的光線,并根據接收光線灰度值的不同來判斷該陣列基板是否存在不良。
然而,由于陣列基板是由多個膜層構成的,在測試時各個膜層的反射率差異很大。因此,現有的光學檢測設備在對陣列基板進行檢測時存在以下問題:
當光源系統10提供的光線光強較高時,可以檢測到陣列基板上 反射率較低的膜層,但是這樣一來,陣列基板上反射率較高的膜層會反射出光強更高的光線,從而導致檢測設備出現誤報錯。
當光源系統10提供的光線光強較低時,可以檢測到陣列基板上反射率較高的膜層,但是這樣一來,反射率較低的膜層幾乎無發將入射到的光線反射至CCD,從而使得反射率較低的膜層出現被漏檢的可能。
因此,當陣列基板上的膜層之間的反射率差異較大時,現有的光學檢測設備無法同時對各個膜層的不良進行檢測,而只能有選擇性的進行檢測。從而導致工藝監控的部分失效,影響對后續制作工藝結果的判斷,大大降低制作工藝的穩定性。
發明內容
本發明的實施例提供一種檢測裝置、陣列基板檢測系統及其方法。能夠同時對陣列基板上反射率差異較大的各個膜層進行不良檢測。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本發明實施例的一方面提供一種檢測裝置,包括用于承載待測基板的承載臺,所述承載臺一側設置有光源,所述光源發出的光線通過分束器照射到所述待測基板的表面,經過反射后進入所述分束器并輸出,其特征在于,所述檢測裝置還包括:
第一半反半透鏡,與所述分束器輸出的光線之間具有預設夾角,用于將所述分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束;
采集裝置,用于采集所述第一光束和所述第二光束,根據所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片;其中,所述第一膜層具有第一反射率;所述第二膜層具有第二反射率,所述第二反射率與所述第一反射率不同;
處理器,用于將所述采集裝置生成的灰階圖片進行對比得出所述待測基板的缺陷坐標圖。
本發明實施例的另一方面提供一種陣列基板檢測系統,包括如上所述的任意一種檢測裝置。
本發明實施例的又一方面提供一種陣列基板檢測系統的檢測方 法,包括參數處理的步驟、待測基板檢測的步驟以及缺陷確認的步驟,其特征在于,所述待測基板檢測的步驟包括:
光源發出的光線通過分束器照射到待測基板的表面,經過反射后進入所述分束器并輸出;
第一半反半透鏡將分束器輸出的光線分為第一光束和第二光束;
采集裝置采集所述第一光束和所述第二光束,根據所述第一光束和所述第二光束生成所述待測基板上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片;其中,所述第一膜層具有第一反射率;所述第二膜層具有第二反射率,所述第二反射率與所述第一反射率不同;
處理器將所述采集裝置生成的灰階圖片進行對比得出所述待測基板的缺陷坐標圖。
本發明實施例提供一種檢測裝置、陣列基板檢測系統及其方法。陣列基板檢測系統包括檢測裝置,該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個膜層表面的灰階圖片,再利用處理器根據上述灰階圖片,得出待測基板的缺陷坐標圖。這樣一來,通過該陣列基板檢測系統就可以同時對陣列基板上反射率差異較大的各個膜層進行不良檢測,得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現有技術中存在的漏檢或誤報錯現象的產生,提高檢測精度和生產效率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現有技術提供的一種檢測裝置的結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的一種檢測裝置的結構示意圖;
圖3為本發明實施例提供的另一種檢測裝置的結構示意圖;
圖4為本發明實施例提供的又一種檢測裝置的結構示意圖;
圖5為本發明實施例提供的一種陣列基板檢測系統的結構示意圖;
圖6為本發明實施例提供的一種陣列基板檢測方法的流程示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
本發明實施例提供一種檢測裝置,如圖2所示,可以包括用于承載待測基板20的承載臺21,承載臺21一側設置有光源22,光源22發出的光線通過分束器23照射到待測基板20的表面,經過反射后進入分束器23并輸出,該檢測裝置還可以包括:
第一半反半透鏡24,與分束器23輸出的光線之間具有預設夾角α,用于將分束器23輸出的光線分為第一光束Y和第二光束X。
其中,預設夾角α可優選為45°。
采集裝置01,用于采集第一光束Y和第二光束X,根據第一光束Y和第二光束X生成待測基板20上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片;其中,第一膜層具有第一反射率;第二膜層具有第二反射率,第二反射率與第一反射率不同。
需要說明的是,本發明實施例中的待測基板20為陣列基板。待測基板20上第一膜層和第二膜層具體是指,由于陣列基板是由各個膜層構成,因此各個膜層之間的反射率也不盡相同。例如陣列基板上用于形成柵線的柵極金屬層可以采用金屬鋁制成,而柵線的圖案一般形成于透明基板的表面,該透明基板可以采用玻璃制成。而金屬鋁與玻璃之間的反射率相差比較大。因此第一膜層具有的第一反射率與第二膜層具有的第二反射率不同。
其中,如圖3所示,采集裝置01可以包括:
第一子采集裝置30,用于采集第一光束Y;以及,
第二子采集裝置31,用于采集第二光束X。
該檢測裝置還可以包括:處理器32,用于將采集裝置01生成的灰階圖片進行對比得出待測基板20的缺陷坐標圖。
需要說明的是,陣列基板上設置有橫縱交叉的柵線和數據線,該柵線和數據線可以交叉界定多個呈矩陣形式排列的像素單元。一般情況下,沒有短路或斷路等不良現象的陣列基板的各個像素單元以及構成該像素單元的柵線和數據線應該是一模一樣的,這樣才可以使得顯示畫面均勻。然而,在生產加工過程中,由于粉塵或其它因素導致陣列基板上的膜層圖案,例如柵線或數據線會出現短路或斷路,這樣一來,會發現構成該像素單元的柵線和數據線會與構成其它位置像素單元的柵線和數據線不同,存在缺陷。而這一缺陷信息,可以通過對多個像素單元及構成該像素單元的柵線和數據線進行拍照生成灰階圖片,并將該灰階圖片進行對比才可以發現。具體的對比方法,可以是將該灰階圖片依次與標準圖片進行對比。其中,該標準圖片為對陣列基板上沒有缺陷的像素單元以及構成該像素單元的柵線和數據線進行拍照并生成的灰階圖片。或者,在上述圖片之間進行重復性區域間對比從而找出差異點,進而可以確定出缺陷的位置。因此,采集裝置01生成的灰階圖片需要通過對比才可以得出待測基板20的缺陷坐標圖。
本發明實施例提供一種檢測裝置。該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個膜層表面的灰階圖片,再利用處理器根據上述灰階圖片,得出待測基板的缺陷坐標圖。這樣一來,通過該陣列基板檢測系統就可以同時對陣列基板上反射率差異較大的各個膜層進行不良檢測,得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現有技術中存在的漏檢或誤報錯現象的產生,提高檢測精度和生產效率。
進一步地,如圖3所示,第一子采集裝置30和第二子采集裝置31均可以包括:電荷耦合相機301。
第二子采集裝置31與第一半透半反鏡24之間還可以包括光學膜片層311,光學膜片層311用于改變入射到第二子采集裝置31的第二光束X的亮度。
需要說明的是,以下實施例均以以第一膜層具有的第一反射率小于第二膜層具有的第二反射率為例進行說明。
具體的,可以對光學膜層311進行舉例說明:
例如,光學膜片層311可以采用灰鏡,這樣一來,該灰鏡可以非選擇性的過濾透過的光線,并對各個波段的光線同等均勻的減弱。當光源22輸出的光線光強較高時,通過灰鏡的過濾可以將待測基板20上具有第一反射率的第一膜層反射的光線在一定程度上過濾掉,從而使得第二子采集裝置31的電耦合相機301能夠接受大部分具有第二反射率的第二膜層反射的光線。而反射率較低的第一膜層反射的光線大部分可以被第一子采集裝置30的電耦合相機301所接收。
其中,灰鏡311可以分為10%-90%不同灰度的鏡片,具體的,本領域技術人員可以根據實際檢測的陣列基板反射率差異情況進行選擇,本發明實施例對此不做限定。
又例如,光學膜片層311可以采用具有增加光線光強功能的增光器件。這樣一來,該增光器件可以對各個波段的光線同等均勻的增強。當光源22輸出的光線光強較低時,通過增光器件可以將待測基板20上具有反射率較低的第一膜層反射的光線增強,從而使得第二子采集裝置31的電耦合相機301可以接受大部分具有反射率較低的第一膜層反射的光線。而反射率較高的第二膜層反射的光線大部分可以被第二子采集裝置30的電耦合相機301所接收。
這樣一來,就可以實現同時對陣列基板上反射率差異較大的各個膜層進行不良檢測,得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現有技術中存在的漏檢現象的產生,提高檢測精度和生產效率。
進一步地,如圖3所示,處理器32還可以包括數據整合單元302;用于刪除缺陷坐標圖中的重復坐標刪除,以得新的缺陷坐標圖。
具體的,如上所述,當光源22輸出光線時,第二子采集裝置31的電耦合相機301可以采集如圖3中的光線X。當第二子采集裝置31與第一半透半反鏡24之間的光學膜片層311為灰鏡時,可以對光線X中的各個波段的光線進行同等均勻的減弱,這樣一來待測基板20上具有第一反射率的第一膜層(例如反射率較低的玻璃基板)反射的光線被削弱,使得第二子采集裝置31的電荷耦合相機301能夠 采集到待測基板20上大部分具有第二反射率的第二膜層(例如反射率較高的柵極金屬層)反射的光線。
然而,第一子采集裝置30的電荷耦合相機301可以采集如圖3所示的光線Y。由于光線Y中既包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線,而上述第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線已經被第二子采集裝置31的電荷耦合相機301所采集。同理,由于光線X中也同時包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線以及待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線。這樣一來,第一膜層(例如玻璃基板)以及第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線均被采集了兩次。因此,處理器32將采集裝置01生成的灰階圖片進行對比得出待測基板20的缺陷坐標圖中具有重復坐標。為了使得檢測結果更加精準,因此需要通過數據整合單元302將缺陷坐標圖中的重復坐標刪除。其中,該重復坐標的公差范圍可以控制再±2μm以內。
和/或,
數據整合單元302還可以用于刪除灰階值大于預設定閾值的灰度圖片。其中,上述預設定閾值可以為250。需要說明的是,灰階圖片的灰階值范圍一般為0-255,即256個灰階。
具體的,當第一子采集裝置30的電荷耦合相機301采集如圖3所示的光線Y時,由于光線Y中既包含待測基板20上第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線;因此,如果光源22輸出光線的光強較高,可能會導致待測基板20上反射率較高第一膜層(例如柵極金屬層)反射光線的光強較高,從而使得生成的第一膜層表面的灰階圖片的灰階數值過大,進而導致檢測設備無法真實檢測到第二膜層的缺陷而出現誤報錯現象。因此,需要通過數據整合單元302將灰階值大于預設定閾值,例如250的灰階圖片刪除。從而保證檢測系統,檢測數據的準確性,避免誤報錯現象的產生。當然,以上僅僅是當第二子采集裝置31與第一半透半反鏡24之間的光學膜片層311為灰鏡時,對檢測裝 置的數據整合單元工作原理的舉例說明。當光學膜片層311采用可以對入射的各個波段的光線進行同等均勻增強的增光器件時,該數據整合單元的工作原理同上。這里不再詳細贅述。
這樣一來,該檢測裝置就可以同時對待測基板20上具有不同反射率的膜層的缺陷進行檢測。從而避免漏檢和誤報錯現象的產生,提高了檢測設備的精度和效率。
進一步地,如圖4所示,分束器23可以包括:
第二半反半透鏡25,與光源22發出的光線之間具有預設夾角α;以及,
透鏡裝置12,位于第二半反半透鏡11與承載臺21之間,用于匯聚透過第二半反半透鏡11的光線。
其中,預設夾角α可以為45°,這樣一來通過該分束器分出的第一光束Y和第二光束X可以相互垂直。
具體的,光源23發出的光線經過第二半反半透鏡25的透射面射入透鏡裝置12,在經過透鏡裝置12匯聚傳導到待測基板20的表面,在待測基板20表面反射后經過透鏡裝置12再在第二半反半透鏡25的反射面反射夠傳導至第一半反半透鏡24。
本發明實施例提供一種陣列基板的檢測系統,包括如上所述的任意一種檢測裝置100,具有與前述實施例提供的檢測裝置相同的有益效果,由于檢測裝置在前述實施例中已經進行了詳細說明,此處不再贅述。
本發明實施例提供一種陣列基板檢測系統。該陣列基板檢測系統包括檢測裝置,該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個膜層表面的灰階圖片,再利用處理器根據上述灰階圖片,得出待測基板的缺陷坐標圖。這樣一來,通過該陣列基板檢測系統就可以同時對陣列基板上反射率差異較大的各個膜層進行不良檢測,得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現有技術中存在的漏檢或誤報錯現象的產生,提高檢測精度和生產效率。
進一步地,如圖5所示,該陣列基板的檢測系統還可以包括:
參數加載單元101,用于在對待檢測基板20進行檢測前,向陣 列基板檢測系統載入檢測參數。該參數包括光源22的輸入光線的光強參數,光學膜片層的參數以及電荷耦合相機301的坐標系統等等。
以及,
卸載單元104,用于在對待檢測基板20進行檢測后,清除上述檢測參數,從而結束測試過程。
進一步地,該陣列基板檢測系統還可以包括:
拍照單元103,用于根據檢測裝置100的檢測結果,對待測基板20上的缺陷進行拍照,以確認上述缺陷。需要說明的是,這里拍照單元103對待測基板20上的缺陷進行有選擇性的拍照,從而可以看清楚缺陷的具體形式,例如短路或者斷路。
進一步地,該陣列基板檢測系統還可以包括:
對位單元102,用于將放入載物臺21上的待測基板20的位置通過機械或光學的方式進行對位。其中,可以通過機械方式將待測基板20置于待檢測位置,進一步通過光學對位對待測基板20的位置進行微調,從而可以提高對位精度。
本發明實施例提供一種陣列基板檢測系統的檢測方法,包括參數處理的步驟、待測基板檢測的步驟以及缺陷確認的步驟,如圖6所示,待測基板檢測的步驟可以包括:
S101、如圖2所示,光源22發出的光線通過分束器23照射到待測基板20的表面,經過反射后進入分束器23并輸出。
S102、第一半反半透鏡24將分束器輸出的光線分為第一光束Y和第二光束X。其中,第一半反半透鏡24與分束器23輸出的光線之間具有預設夾角α,該預設夾角α可以為45°。
S103、采集裝置01采集第一光束Y和第二光束X,根據第一光束Y和第二光束X生成待測基板20上第一膜層表面和第二膜層表面的灰階圖片;其中,第一膜層具有第一反射率;第二膜層具有第二反射率,第二反射率與第一反射率不同。
需要說明的是,本發明實施例中的待測基板20為陣列基板。待測基板20上第一膜層和第二膜層具體是指,由于陣列基板是由各個 膜層構成,因此各個膜層之間的反射率也不盡相同。例如陣列基板上用于形成柵線的柵極金屬層可以采用金屬鋁制成,而柵線的圖案一般形成于透明基板的表面,該透明基板可以采用玻璃制成。而金屬鋁與玻璃之間的反射率相差比較大。因此第一膜層具有的第一反射率與第二膜層具有的第二反射率不同。
其中,如圖3所示,采集裝置01可以包括:
第一子采集裝置30,用于采集第一光束Y;以及,
第二子采集裝置31,用于采集第二光束X。
S104、處理器32將采集裝置01生成的灰階圖片進行對比得出待測基板20的缺陷坐標圖。
需要說明的是,陣列基板上設置有橫縱交叉的柵線和數據線,該柵線和數據線可以交叉界定多個呈矩陣形式排列的像素單元。一般情況下,沒有短路或斷路等不良現象的陣列基板的各個像素單元以及構成該像素單元的柵線和數據線應該是一模一樣的,這樣才可以使得顯示畫面均勻。然而,在生產加工過程中,由于粉塵或其它因素導致陣列基板上的膜層圖案,例如柵線或數據線會出現短路或斷路,這樣一來,會發現構成該像素單元的柵線和數據線會與構成其它位置像素單元的柵線和數據線不同,存在缺陷。而這一缺陷信息,可以通過對多個像素單元及構成該像素單元的柵線和數據線進行拍照生成灰階圖片,并將該灰階圖片進行對比才可以發現。具體的對比方法,可以是將該灰階圖片依次與標準圖片進行對比。其中,該標準圖片為對陣列基板上沒有缺陷的像素單元以及構成該像素單元的柵線和數據線進行拍照并生成的灰階圖片。或者,在上述圖片之間進行重復性區域間對比從而找出差異點,進而可以確定出缺陷的位置。因此,采集裝置01生成的灰階圖片需要通過對比才可以得出待測基板20的缺陷坐標圖。
本發明實施例提供一種陣列基板檢測系統的方法。陣列基板檢測系統包括檢測裝置,該檢測裝置通過采集裝置可以生成待測基板上反射率不同的各個膜層表面的灰階圖片,再利用處理器根據上述灰階圖片,得出待測基板的缺陷坐標圖。這樣一來,通過該陣列基板檢測系統就可以同時對陣列基板上反射率差異較大的各個膜層進行不良檢 測,得出整張陣列基板上存在缺陷的位置。從而避免現有技術中存在的漏檢或誤報錯現象的產生,提高檢測精度和生產效率。
進一步地,在處理器32得出待測基板20的缺陷坐標圖的步驟之后,該方法還包括:
數據整合單元302刪除上述缺陷坐標圖中的重復坐標,以得新的缺陷坐標圖。
具體的,如上所述,當光源22輸出光線時,第二子采集裝置31的電耦合相機301可以采集如圖3中的光線X。當第二子采集裝置31與第一半透半反鏡24之間的光學膜片層311為灰鏡時,可以對光線X中的各個波段的光線進行同等均勻的減弱,這樣一來待測基板20上具有第一反射率的第一膜層(例如反射率較低的玻璃基板)反射的光線被削弱,使得第二子采集裝置31的電荷耦合相機301能夠采集到待測基板20上大部分具有第二反射率的第二膜層(例如反射率較高的柵極金屬層)反射的光線。
然而,第一子采集裝置30的電荷耦合相機301可以采集如圖3所示的光線Y。由于光線Y中既包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線,而上述第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線已經被第二子采集裝置31的電荷耦合相機301所采集。同理,由于光線X中也同時包含待測基板20上反射率較低的第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線以及待測基板20上反射率較高的第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線。這樣一來,第一膜層(例如玻璃基板)以及第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線均被采集了兩次。因此,處理器32將采集裝置01生成的灰階圖片進行對比得出待測基板20的缺陷坐標圖中具有重復坐標。為了使得檢測結果更加精準,因此需要通過數據整合單元302將缺陷坐標圖中的重復坐標刪除。其中,該重復坐標的公差范圍可以控制再±2μm以內。
和/或,
數據整合單元302刪除灰階值大于預設定閾值的上述灰度圖片。其中,上述預設定閾值可以為250。需要說明的是,灰階圖片的灰階 值范圍一般為0-255,即256個灰階。具體的,當第一子采集裝置30的電荷耦合相機301采集如圖3所示的光線Y時,由于光線Y中既包含待測基板20上第一膜層(例如玻璃基板)反射的光線又包含待測基板20上第二膜層(例如柵極金屬層)反射的光線;因此,如果光源22輸出光線的光強較高,可能會導致待測基板20上反射率較高第一膜層(例如柵極金屬層)反射光線的光強較高,從而使得生成的第一膜層表面的灰階圖片的灰階數值過大,進而導致檢測設備無法真實檢測到第二膜層的缺陷而出現誤報錯現象。因此,需要通過數據整合單元302將灰階值大于預設定閾值,例如250的灰階圖片刪除。從而保證檢測系統,檢測數據的準確性,避免誤報錯現象的產生。當然,以上僅僅是當第二子采集裝置31與第一半透半反鏡24之間的光學膜片層311為灰鏡時,對檢測裝置的數據整合單元工作原理的舉例說明。當光學膜片層311采用可以對入射的各個波段的光線進行同等均勻增強的增光器件時,該數據整合單元的工作原理同上。這里不再詳細贅述。
這樣一來,該檢測裝置就可以同時對待測基板20上具有不同反射率的膜層的缺陷進行檢測。從而避免漏檢和誤報錯現象的產生,提高了檢測設備的精度和效率。
進一步地,在待測基板20檢測的步驟之前,該檢測方法還可以包括:
參數加載單元101向陣列基板檢測系統載入檢測參數。其中,該參數包括光源22的輸入光線的光強參數,光學膜片層311的參數以及電荷耦合相機301的坐標系統等等。
進一步地,在待測基板20檢測的步驟之后,該檢測方法還可以包括:
拍照單元103根據檢測裝置100的檢測結果,對待測基板20上的缺陷進行拍照,以確認上述缺陷。需要說明的是,這里拍照單元103對待測基板20上的缺陷進行有選擇性的拍照,從而可以看清楚缺陷的具體形式,例如短路或者斷路。
進一步地,在待測基板20檢測的步驟之后,該檢測方法還可以包括:
卸載單元105清除用于檢測待測基板20的檢測參數,結束測試過程。
進一步地,在待測基板20檢測的步驟之前,該檢測方法還可以包括:
對位單元102將放入載物臺的待測基板的位置通過機械或光學的方式進行對位。其中,可以通過機械方式將待測基板20置于待檢測位置,進一步通過光學對位對待測基板20的位置進行微調,從而可以提高對位精度。
本領域普通技術人員可以理解:實現上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關的硬件來完成,前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質中,該程序在執行時,執行包括上述方法實施例的步驟;而前述的存儲介質包括:ROM、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。
以上所述,僅為本發明的具體實施方式,但本發明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內,可輕易想到變化或替換,都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此,本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。

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