• / 7
  • 下載費用:30 金幣  

一種抗單粒子效應的帶隙基準.pdf

關 鍵 詞:
一種 粒子 效應 基準
  專利查詢網所有資源均是用戶自行上傳分享,僅供網友學習交流,未經上傳用戶書面授權,請勿作他用。
摘要
申請專利號:

CN201310755084.5

申請日:

2013.12.30

公開號:

CN103677052A

公開日:

2014.03.26

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G05F 1/56申請日:20131230|||公開
IPC分類號: G05F1/56 主分類號: G05F1/56
申請人: 天津大學
發明人: 徐江濤; 賈文龍; 姚素英; 史再峰; 高靜
地址: 300072 天津市南開區衛津路92號
優先權:
專利代理機構: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 代理人: 杜文茹
PDF完整版下載: PDF下載
法律狀態
申請(專利)號:

CN201310755084.5

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2015.10.21|||2014.04.23|||2014.03.26

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種抗單粒子效應的帶隙基準,有柵極相連的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3,基極與集電極都接地的第一三極管Q1、第二三極管Q2和第三三極管Q3,以及運算放大器F,M1管、M2管和M3管的源極分別連接電源VDD,M1管的漏極和第一三極管Q1的發射極均連接運算放大器F的反相輸入端,M2管的漏極連接運算放大器F的同相輸入端,第二三極管Q2的發射極通過電阻R1連接運算放大器F的同相輸入端,M3管的漏極構成帶隙基準輸出端Vout,第三三極管Q3的發射極通過電阻R2連接M3管的漏極,運算放大器F的同相輸入端Y連接輔助電路。本發明減小了單粒子效應的影響,可應用于太空等輻射條件下。

關于本文
本文標題:一種抗單粒子效應的帶隙基準.pdf
鏈接地址:http://www.pqsozv.live/p-6180676.html
關于我們 - 網站聲明 - 網站地圖 - 資源地圖 - 友情鏈接 - 網站客服 - 聯系我們

[email protected] 2017-2018 zhuanlichaxun.net網站版權所有
經營許可證編號:粵ICP備17046363號-1 
 


收起
展開
钻石光影 九游棋牌合法吗 排列三试机号彩 足球比分直播90vs足球 快乐8是合法网站吗 欢乐捕鱼大战最新版本下载 大地棋牌 下载江西麻将 广西快乐10分钟开奖结果查询 3d定胆公式计算 皇冠足球指数名称 福州站街女分布 广西11选5走势图 2019内部资料一波中特 与豪利棋牌类似的棋牌 大地棋牌官网首页 3D试机号金码