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有機發光二極管面板及包括該發光二極管面板的電子裝置.pdf

關 鍵 詞:
有機 發光二極管 面板 包括 電子 裝置
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摘要
申請專利號:

CN201210319667.9

申請日:

2012.08.31

公開號:

CN103681729A

公開日:

2014.03.26

當前法律狀態:

撤回

有效性:

無權

法律詳情: 發明專利申請公布后的視為撤回IPC(主分類):H01L 27/32申請公布日:20140326|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 27/32申請日:20120831|||公開
IPC分類號: H01L27/32; G09F9/33 主分類號: H01L27/32
申請人: 群康科技(深圳)有限公司; 奇美電子股份有限公司
發明人: 李竣凱; 吳芳奕; 徐湘倫
地址: 518109 廣東省深圳市寶安區龍華鎮富士康科技工業園區E區4棟1樓
優先權:
專利代理機構: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 代理人: 余剛;吳孟秋
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210319667.9

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2017.03.08|||2014.04.23|||2014.03.26

法律狀態類型:

發明專利申請公布后的視為撤回|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種有機發光二極管面板及包括該發光二極管面板的電子裝置,所述有機發光二極管面板包括基板、陽極、復合發光層、陰極與至少一復合絕緣層。陽極位于基板的上面。復合發光層位于陽極的上面。陰極位于復合發光層的上面。復合絕緣層具有至少兩層絕緣層,其中這些絕緣層具有不同折射系數,且位于陰極上面及介于基板與陽極之間的至少之一。

權利要求書

權利要求書
1.  一種有機發光二極管面板,其特征在于,所述有機發光二極管面板包括:
基板;
陽極,位于所述基板的上面;
復合發光層,位于所述陽極的上面;
陰極,位于所述復合發光層的上面;以及
至少一復合絕緣層,具有至少兩層絕緣層,其中所述絕緣層具有不同的折射系數,且其中所述復合絕緣層位于所述陰極上面及介于所述基板與所述陽極之間的至少之一。

2.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述復合絕緣層的吸收率低于10%。

3.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述絕緣層的折射系數介于1.4至2.6之間。

4.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述復合絕緣層位于所述陰極上面的緊鄰所述陰極的所述絕緣層的折射系數相較于次緊鄰所述陰極的所述絕緣層的折射系數低。

5.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述復合絕緣層介于所述基板與所述陽極之間的緊鄰所述陽極的所述絕緣層的折射系數相較于次緊鄰所述陽極的所述絕緣層的折射系數低。

6.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述復合絕緣層的厚度介于3至10微米之間。

7.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述有機發光二極管面板為上發光型有機二極管面板,所述陽極為反射陽極,所述陰極為半透明陰極,且所述復合絕緣層位于所述陰極的上面。

8.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述有機發光二極管面板為下發光型有機二極管面板,所述陽極為透明陽極,所述陰極為非透明陰極,所述復合絕緣層位于所述基板與所述陽極之間,且所述有機發光二極管還包括位于所述陰極上面的鈍化保護層。

9.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述有機發光二極管面板為穿透型有機二極管面板,所述陽極為透明陽極,所述陰極為半透明陰極,且所述復合絕緣層的其中之一位于所述陰極的上面,且所述復合絕緣層的另一層位于所述基板與所述陽極之間。

10.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述絕緣層的材料為SiNx、SiOx、SiON、MgF2、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺或8-羥基喹啉鋁。

11.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述絕緣層的材料為AlF3、AlOxNy、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF3、CaF2、CdSe、CdS、CdTe、CeF3、CeO2、CsI、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、In2O3、LaF3、La2O3、LiF、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nd2O3、PbCl2、PbF2、PbTe、Pr6O11、Sb2O3、Ta2O5、TeO2、TiN、TiO2、TiCl、ThF4、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnO、ZnS、ZnSe或ZrO2。

12.  根據權利要求1所述的有機發光二極管面板,其特征在于,所述有機發光二極管面板為白色有機發光二極管面板。

13.  一種電子裝置,其特征在于,所述電子裝置包括:
根據權利要求1所述的有機發光二極管面板;
薄膜晶體管陣列,與所述有機發光二極管面板相對設置;以及
控制電路,與所述有機發光二極管面板及所述薄膜晶體管陣列電性連接。

14.  根據權利要求13所述的電子裝置,其特征在于,所述復合絕緣層的吸收率低于10%。

15.  根據權利要求13所述的電子裝置,其特征在于,所述絕緣層的折射系數介于1.4至2.6之間。

16.  根據權利要求13所述的電子裝置,其特征在于,所述復合絕緣層的厚度介于3至10微米之間。

17.  根據權利要求13所述的電子裝置,其特征在于,所述復合絕緣層位于所述陰極上面的緊鄰所述陰極的所述絕緣層的折射系數相較于次緊鄰所述陰極的所述絕緣層的折射系數低。

18.  根據權利要求13所述的電子裝置,其特征在于,所述復合絕緣層介于所述基板與所述陽極之間的緊鄰所述陽極的所述絕緣層的折射系數相較于次緊鄰所述陽極的所述絕緣層的折射系數低。

說明書

說明書有機發光二極管面板及包括該發光二極管面板的電子裝置
技術領域
本發明涉及一種電致發光半導體元件,且特別是涉及有機發光二極管面板及其電子裝置。 
背景技術
有機發光二極管面板因具有低功率、高反應速度、廣視角與高演色性等優勢,因此被作為多種電子裝置的光源,其中電子裝置例如為照明設備、顯示裝置或移動裝置等。舉例來說,有機發光二極管可以作為被動式、主動式有機發光顯示器,又或者,作為植物工廠中的照明設備的照明光源。 
有機發光二極管面板具有依序堆疊的陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層與陰極,其中空穴傳輸層、發光層與電子傳輸為有機材料。當陽極與陰極之間的電壓形成順向偏壓時,空穴傳輸層的空穴與電子傳輸層的電子會往發光層移動,并且結合,以產生具有多個特定波段的光線。 
對于有機發光二極管而言,若要調整有機發光二極管的發射光線(出光面的光線)的顏色時,則可以設計有機發光二極管內的共振腔長度以及電極的反射、吸收與穿透特性來選擇僅使特定波段的光線穿透出光面,以藉此調整發射光線的顏色。舉例來說,有業者于有機發光二極管內設計多個不同厚度的微腔(micro cavity)以調整共振腔長度,來使白色光有機發光二極管可以同時產生紅色、藍色與綠色的發射光線。然而,此種作法的工藝較為復雜,且多個不同微腔的厚度不易控制。 
另外,目前還有通過增設四分之一波長堆疊反射波鏡(quarter wavelength stack,QWS)于有機發光二極管內來選擇使特定波長的光線穿透出光面,以藉此調整發射光線的顏色。然而,四分之一波長堆疊反射波鏡具有強烈的波長選擇性,因此其僅能使特定波長的光線可通過,因此,此作法并不適合用于白色光有機發光二極管。 
發明內容
本發明實施例提供一種有機發光二極管面板,所述有機發光二極管面板包括基板、陽極、復合發光層、陰極與至少一復合絕緣層。陽極位于基板的上面。復合發光層位于陽極的上面。陰極位于復合發光層的上面。復合絕緣層具有至少兩層絕緣層,其中這些絕緣層具有不同折射系數,且位于陰極上面及介于基板與陽極間的至少之一。 
本發明實施例提供一種電子裝置,所述電子裝置包括如前述的有機發光二極管面板、薄膜晶體管陣列與控制電路。薄膜晶體管陣列與有機發光二極管面板相對設置。控制電路與有機發光二極管面板及薄膜晶體管陣列電性連接。 
綜上所述,本發明實施例提供一種可以通過設計其復合絕緣層的反射率、穿透率與吸收率來調整發射光線的顏色的有機發光二極管面板。 
為使能更進一步了解本發明的特征及技術內容,請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖,但是此等說明與所附圖式僅是用來說明本發明,而非對本發明的權利要求范圍作任何的限制。 
附圖說明
圖1是本發明實施例的有機發光二極管面板的剖面結構示意圖。 
圖2是本發明另一實施例的有機發光二極管面板的剖面結構示意圖。 
圖3是本發明另一實施例的有機發光二極管面板的剖面結構示意圖。 
圖4A是不同上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長的曲線圖。 
圖4B是不同上發光型有機發光二極管的上層電極的吸收率與波長的曲線圖。 
圖4C是不同上發光型有機發光二極管的發射光線的強度與波長的曲線圖。 
圖5A是不同上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長的曲線圖。 
圖5B是不同上發光型有機發光二極管的發射光線的強度與波長的曲線圖。 
【主要元件符號說明】 
1~3:有機發光二極管面板 
11、21、31:基板 
12:反射陽極 
22、32:透明陽極 
13、23、33:復合發光層 
131、231、331:空穴傳輸層 
132、232、332:發光層 
133、233、333:電子傳輸層 
24:非透明陰極 
14、34:半透明陰極 
15、25、35、36:復合絕緣層 
151、152、251、252、351、352、361、362:絕緣層 
26:鈍化保護層 
C311~314、C321~C324、C331、C332、C411、C412、C421、C422:曲線 
具體實施方式
首先,請參照圖1,圖1是本發明實施例的有機發光二極管面板的剖面結構示意圖。圖1的有機發光二極管面板1為上發光型有機發光二極管面板,其包括基板11、反射陽極12、復合發光層13、半透明陰極14與復合絕緣層15,其中反射陽極12、復合發光層13、半透明陰極14與復合絕緣層15依序堆疊于基板11之上。 
基板11的材質例如為玻璃、透明塑料材料或晶圓。反射陽極12為具有高反射率與高功函數的導體材料,例如金、鋁或銀的單層電極,或者是,結合銦錫氧化物與上述金屬之一的復合電極。半透明陰極14為具有低功函數的半透明導體材料,例如銀、鋁、鎂或鈣的單層電極,或者是,結合上述金屬至少其中之二所形成的復合電極。 
復合發光層13具有依序堆疊的空穴傳輸層131、發光層132與電子傳輸層133。空穴傳輸層131為具有高熱穩定性的有機材料,例如N,N'- 二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD)材料或N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(NPB)材料。發光層132為具有高量子效率的有機材料,例如4-(二甲氰)-2-甲基-6-(4-二氨基甲基苯乙烯)-4H-吡喃(DCM)、喹吖啶酮(QA)、8-羥基喹啉鋁(AlQ)或4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯苯(DPVBi)材料。電子傳輸層133為具有適當的電子傳輸能力的有機材料,例如8-羥基喹啉鋁、三(8-羥基喹啉)鋁(AlQ3)、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)或2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑(PBD)材料。 
于此實施例中,有機發光二極管面板1可以是白色光有機發光二極管面板。發光層132經設計可以為復合材料層,其在順向偏壓的情況下可同時產生紅色、綠色與藍色波段的光線,以混出白色光線。 
復合絕緣層15包括依序堆疊的至少兩層絕緣層151與152,絕緣層151與152可以作為鈍化保護層使用,且同時可以通過設計絕緣層151與152的反射率、吸收率或穿透率(吸收率、穿透率與反射率的總合為1)來選擇使特定波段的光線通過,而達到調整發射光線的顏色的目的。簡單地說,復合絕緣層15可以同時具有保護與調整發射光線的顏色的功能。 
于此實施例中,復合絕緣層15的吸收率優選地是被設計低于10%。另外,絕緣層151與152的折射系數介于1.4至2.6之間,緊鄰半透明陰極14的絕緣層151較次緊鄰半透明陰極14的絕緣層152具有較低的折射系數,且絕緣層151與152的厚度可以依據設計需求而調整,使復合絕緣層15的厚度介于3至10微米之間。絕緣層151與152可以是金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氟化物、金屬碳化物、金屬硼化物或其他非有機絕緣材料,例如,SiNx、SiOx、SiON、MgF2、AlF3、AlOxNy、BaF2、BeO、Bi2O3、BiF3、CaF2、CdSe、CdS、CdTe、CeF3、CeO2、CsI、Gd2O3、HfO2、HoF3、Ho2O3、In2O3、LaF3、La2O3、LiF、MgO、NaF、Na3AlF6、Na5Al3F14、Nb2O5、NdF3、Nd2O3、PbCl2、PbF2、PbTe、Pr6O11、Sb2O3、Ta2O5、TeO2、TiN、TiO2、TiCl、ThF4、V2O5、WO3、YF3、Y2O3、YbF3、Yb2O3、ZnO、ZnS、 ZnSe、ZrO2及其組合,又或者可以是有機絕緣材料,例如NPB或AlQ材料。 
于圖1的實施例中,當反射陽極12與半透明陰極14之間的電壓形成順向偏壓時,空穴傳輸層131的空穴與電子傳輸層133的電子會往發光層132移動,并且結合,以產生具有多個特定波段的光線射至反射陽極12。值得注意的是,于空穴傳輸層131與反射陽極12間可具有空穴注入層,于電子傳輸層133與半透明陰極14間可具有電子注入層,空穴注入層及電子注入層的材質可以為有機半導體材料,例如小分子有機材料、高分子化合物材料、或有機金屬化合物材料。因為反射陽極12具有高反射率,且半透明陰極14具有匹配的穿透率及反射率,因此光線被反射,共振后通過半透明陰極14與復合絕緣層15,其中復合絕緣層15的上表面可以作為有機發光二級1的出光面。 
上發光型有機發光二極管的出光面的光線(發射光線)的強度可以使用Fabry-Perot行為函數表示如下: 
Icav(λ,θ)=Tt1+Rb(λ)+2Rb(λ)cos(2kzb(λ,θ))1+Rt(λ)Rb(λ)-2Rt(λ)Rb(λ)cos(2kLcav(λ,θ))I0(λ)]]>
,其中λ表示波長,θ表示發光平面與其法線方向的夾角,Rb(λ)表示底層電極的反射率,Rt(λ)表示上層電極的反射率,Tt表示上層電極的穿透率,k表示波向量,zb(λ,θ)表示發光層至反射電極的位置,Lcav表示共振腔長度,而I0(λ)表示自由空間下的發光強度。 
于本發明實施例中,復合絕緣層15與半透明陰極14所形成的反射率即為上層電極的反射率Rt(λ),且對應地復合絕緣層15與半透明陰極14所形成的穿透率即為上層電極的穿透率Tt。因此,于本發明實施例中,可 通過改變復合絕緣層15的吸收率、穿透率或反射率來選擇使特定波段的光線可以順利地通過出光面,以達到調整發射光線的顏色的目的。 
值得說明的是,本發明的有機發光二極管面板并不限制于上發光型有機發光二極管,本發明的有機發光二極管還可以是下發光型有機發光二極管或穿透型有機發光二極管。基于類似的原理,可以通過增設復合絕緣層于有機發光二極管的出光面,并調整復合絕緣層的吸收率、穿透率或反射率,來達到調整發射光線的顏色的功能。 
接著,請參照圖2,圖2是本發明另一實施例的有機發光二極管面板的剖面結構示意圖。圖2的有機發光二極管面板2為下發光型有機發光二極管面板,其包括透明基板21、透明陽極22、復合發光層23、非透明陰極24、復合絕緣層25與鈍化保護層26,其中復合絕緣層25、透明陽極22、復合發光層23、非透明陰極24與鈍化保護層26依序堆疊于透明基板21之上。 
透明基板21、復合發光層23與復合絕緣層25的材料與特性可通過透明基板11、復合發光層13與復合絕緣層15的描述而得知,故重復的內容將不再贅述。復合發光層23具有依序堆疊的空穴傳輸層231、發光層232與電子傳輸層233,且復合絕緣層25包括依序堆疊的至少兩層絕緣層251與252,緊鄰透明陽極22的絕緣層251較次緊鄰透明陽極22的絕緣層252具有較低的折射系數。空穴傳輸層231、發光層232、電子傳輸層233、絕緣層251與252的材料與特性可通過空穴傳輸層131、發光層132、電子傳輸層133、絕緣層151與152的描述而得知,故重復的內容將不再贅述。 
值得說明的是,因有機發光二極管面板2為下發光型有機發光二極管面板,因此透明陽極22為具有高功函數的透明導體材料,例如銦錫氧化物的單層電極,或者是結合多種半透明的金屬氧化物所形成的復合電極。非透明陰極24為具有低功函數的非透明導體材料,例如銅的單層電極, 或者是,結合多種非透明金屬所形成的復合電極。另外,復合絕緣層25設置于透明基板21與透明陽極22之間,以達到調整發射光線的顏色的功能。除此之外,鈍化保護層26設置于非透明陰極24之上,以達到保護的功能,其中鈍化保護層26為絕緣材料,例如SiN或SiO。 
接著,請參照圖3,圖3是本發明另一實施例的有機發光二極管面板的剖面結構示意圖。圖3的有機發光二極管3為穿透型有機發光二極管面板,其包括透明基板31、透明陽極32、復合發光層33、半透明陰極34、復合絕緣層35與36,其中復合絕緣層36、透明陽極32、復合發光層33、半透明陰極34與復合絕緣層35依序堆疊于透明基板31之上。 
透明基板31、復合發光層33與復合絕緣層35、36的材料與特性可通過透明基板11、復合發光層13與復合絕緣層15的描述而得知,故重復的內容將不再贅述。復合發光層33具有依序堆疊的空穴傳輸層331、發光層332與電子傳輸層333,復合絕緣層35包括依序堆疊的至少兩層絕緣層351與352,復合絕緣層36包括依序堆疊的至少兩層絕緣層361與362。空穴傳輸層331、發光層332、電子傳輸層333、絕緣層351、352、361、362的材料與特性可通過空穴傳輸層131、發光層132、電子傳輸層133、絕緣層151與152的描述而得知,故重復的內容將不再贅述。 
值得說明的是,因有機發光二極管面板3為穿透型有機發光二極管,因此透明陽極32為具有高功函數的透明導體材料,例如銦錫氧化物的單層電極,或者是結合多種半透明的金屬氧化物所形成的復合電極。半透明陰極34為具有低功函數的半透明導體材料,例如銀、鋁、鎂或鈣的單層電極,或者是,結合上述金屬至少其中之二所形成的復合電極。另外,復合絕緣層36設置于透明基板31與透明陽極32之間,以達到調整發射光線的顏色的功能。除此之外,復合絕緣層35設置于半透明陰極34之上,以同時達到保護與調整發射光線的顏色的功能。 
請參照圖4A,曲線C311表示不具有絕緣層的上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長的曲線,而曲線C312表示具有4微米厚度的SiN的絕緣層的上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長的曲線。曲線C313與C314表示具有不同復合絕緣層的上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長的曲線,其中曲線C313所對應的復合絕緣層依序由0.005微米厚度的SiO、0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成,曲線C314所對應的復合絕緣層依序由0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN、0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN所堆疊而成。由曲線C311~C314可知,可以通過設計復合絕緣層,來調整上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長之間的關系。 
請參照圖4B,曲線C321表示不具有絕緣層的上發光型有機發光二極管的上層電極的吸收率與波長的曲線,而曲線C322表示具有4微米厚度的SiN的絕緣層的上發光型有機發光二極管的上層電極的吸收率與波長的曲線。曲線C323與C324表示具有不同復合絕緣層的上發光型有機發光二極管的上層電極的吸收率與波長的曲線,其中曲線C322所對應的復合絕緣層由所形成,曲線C323所對應的復合絕緣層依序由0.005微米厚度的SiO、0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成,曲線C324所對應的復合絕緣層依序由0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN、0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN所堆疊而成。由曲線C321~C324可知,可以通過設計復合絕緣層,來調整上發光型有機發光二極管的上層電極的吸收率與波長之間的關系。 
請參照圖4C,曲線C331與C332表示不同上發光型有機發光二極管的發射光線的強度與波長的曲線,其中曲線C331所對應的上發光型有機發光二極管具有4微米厚度的SiN的絕緣層,而曲線C332所對應的上發光型有機發光二極管具有依序由0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN、0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN所堆疊而成的復合絕緣層。 
接著,由圖4C可以得知,僅具有4微米厚度的SiN的絕緣層的上發光型有機發光二極管的發射光線為紅色與藍色強度較強(參照曲線C331),然而,具有依序由0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN、0.1微米厚度的SiO、1.9微米厚度的SiN所堆疊而成的復合絕緣層的上發光型有機發光二極管的發射光線為綠色較強(參照曲線C332)。因此,由圖4A~圖4C可以得知,可以通過設計復合絕緣層的反射率、穿透率與吸收率來調整發射光線的顏色。除此之外,由圖4C還可以得知,復合絕緣層具較低的波長選擇性,因此本發明實施例的有機發光二極管可以設計為白色光有機發光二極管。 
請參照圖5A,曲線C411與C412表示具有不同復合絕緣層的上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長的曲線,其中曲線C411所對應的復合絕緣層依序由0.005微米厚度的SiO、0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成,而曲線C412所對應的復合絕緣層依序由0.075微米厚度的MgF2、0.005微米厚度的SiO、0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成。由曲線C411與C412可知,可以通過設計復合絕緣層,來調整上發光型有機發光二極管的上層電極的反射率與波長之間的關系。 
請參照圖5B,曲線C421與C422表示具有不同復合絕緣層的上發光型有機發光二極管的發射光線的強度與波長的曲線,其中曲線C421所對應的復合絕緣層依序由0.005微米厚度的SiO、0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成,而曲線C422所對應的復合絕緣層依序由0.075微米厚度的MgF2、0.005微米厚度的SiO、0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成。 
接著,由圖5B可以得知,具有依序由0.005微米厚度的SiO、0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成的復合絕緣層的上發光型有機發光二極管的發射光線的主要波段約在460納米(參照曲線C421),然而,具有依序由0.075微米厚度的MgF2、0.005微米厚度的SiO、 0.45微米厚度的SiN與0.1微米厚度的SiON所堆疊而成所堆疊而成的復合絕緣層的上發光型有機發光二極管的發射光線的主要波段約在450納米(參照曲線C422)。因此,由圖4C可以得知,可以通過設計復合絕緣層的反射率、穿透率與吸收率來調整發射光線的顏色,以使得原來偏藍色的發射光線更偏向藍色。 
另外,上述各實施例的有機發光二極管可以作為電子裝置的顯示面板。電子裝置例如為具有顯示面板與控制電路的顯示裝置,其中顯示裝置的顯示面板可以由多個有機發光二極管所組成;或者,電子裝置例如為具有驅動電路與照明光源的照明裝置,其中照明裝置的照明光源可以由多個有機發光二極管所組成。簡單地說,本發明實施例還提供一種電子裝置,所述電子裝置包括由至少一有機發光二極管所組成的顯示面板與其他的功能組件,其中功能組件依據電子裝置的類型而例如為薄膜晶體管陣列、驅動電路或控制電路等,薄膜晶體管陣列與有機發光二極管面板相對設置,且控制電路與有機發光二極管面板及薄膜晶體管陣列電性連接。 
綜合以上所述,本發明實施例提供一種工藝簡單、制造成本較低且可以通過設計其復合絕緣層的反射率、穿透率與吸收率來調整發射光線的顏色的有機發光二極管面板。除此之外,所述有機發光二極管面板可以設計為白色光有機發光二極管面板。 
以上所述僅為本發明的實施例,其并非用以限定本發明的專利保護范圍。任何本領域的普通技術人員,在不脫離本發明的精神與范圍內,所作的更動及潤飾的等效替換,仍為本發明的專利保護范圍內。 

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